From 71feb3e06ddd8a37ab2de51ec80ed82c5fbe40d2 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: wangfq Date: Thu, 3 Sep 2026 14:58:49 +0800 Subject: [PATCH] =?UTF-8?q?docs(V4B):=20=E7=A1=AC=E4=BB=B6=E5=8F=98?= =?UTF-8?q?=E6=9B=B4=E6=8F=8F=E8=BF=B0=E5=8B=98=E8=AF=AF=20=E2=80=94=20?= =?UTF-8?q?=E5=87=86=E7=A1=AE=E6=94=B9=E6=B3=95=20R19=E6=8B=86=20+=20R27?= =?UTF-8?q?=E8=A1=A5=E7=84=8A0=CE=A9(=E6=97=81=E8=B7=AF=E4=B8=89=E6=9E=81?= =?UTF-8?q?=E7=AE=A1=E7=9B=B4=E6=8E=A7=E7=94=B5=E5=AE=B9)?= MIME-Version: 1.0 Content-Type: text/plain; charset=UTF-8 Content-Transfer-Encoding: 8bit 早期过程描述'三极管 5.1K→0Ω'更正为: R19 取下 + R27 补焊 0Ω(原空贴), 拨码开关不再经过三极管电路、经 0Ω 直控第二颗 33nF; 与 vd-analysis models/DLD154V4B 归档的 Ver4.01 原理图一致 --- docs/hardware/hardware-change-notes.md | 16 +++++++++++----- 1 file changed, 11 insertions(+), 5 deletions(-) diff --git a/docs/hardware/hardware-change-notes.md b/docs/hardware/hardware-change-notes.md index 1b12fd4..292690f 100644 --- a/docs/hardware/hardware-change-notes.md +++ b/docs/hardware/hardware-change-notes.md @@ -19,16 +19,22 @@ ## 变更记录 -### 2026-09-03 — 拨码电容开关支路：5.1K → 0Ω（原理图升版 Ver4.01） +### 2026-09-03 — 拨码电容开关旁路三极管（原理图 Ver3.00→Ver4.01） -**背景**：线圈振荡两级频率（固定 33nF + 拨码经三极管接通第二颗 33nF）。 -拨码开关通过**三极管（SS8050 类）**断开/接通该电容。 +**背景**：线圈振荡两级频率（固定 33nF + 拨码接通第二颗 33nF）。 +原电路：拨码开关 → **三极管电路** → 第二颗电容。 **问题**（2026-09-03 实测）：低频档（66nF 名义）实测等效谐振电容 **C_eff≈43nF** （2 台×5 组线圈反推 41.3~45.5），与名义 66nF 明显不符；两档有效 C 比仅 1.25（应 2.0） -→ 第二颗 33nF 只等效并入 ~8.6nF，**疑似开关支路未完全导通**。 +→ 第二颗 33nF 只等效并入 ~8.6nF，**三极管开关电路未能将电容全量并入**。 -**修复**：三极管支路 **5.1K 电阻改 0Ω**（消除基极/开关压降，三极管饱和导通）。 +**修复**（用户操作，准确描述）： +- **R19 取下**（拆除） +- **R27 补焊 0Ω**（原空贴） +- 效果 = 拨码开关**不再经过三极管电路**，通过 0Ω 电阻**直接控制第二颗 33nF 电容** + +> 注：早期过程记录（devlog V4.29 条目）写作"三极管 5.1K→0Ω"，为本变更的过程理解表述； +> 以本处 R19/R27 描述为准。 **修复后实测**（0Ω 板，低频档，3 颗线圈）：