docs(V4B): 硬件变更描述勘误 — 准确改法 R19拆 + R27补焊0Ω(旁路三极管直控电容)

早期过程描述'三极管 5.1K→0Ω'更正为: R19 取下 + R27 补焊 0Ω(原空贴),
拨码开关不再经过三极管电路、经 0Ω 直控第二颗 33nF; 与 vd-analysis
models/DLD154V4B 归档的 Ver4.01 原理图一致
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wangfq
2026-09-03 14:58:49 +08:00
parent ab028647f2
commit 71feb3e06d
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## 变更记录 ## 变更记录
### 2026-09-03 — 拨码电容开关支路:5.1K → 0Ω(原理图升版 Ver4.01 ### 2026-09-03 — 拨码电容开关旁路三极管(原理图 Ver3.00→Ver4.01
**背景**:线圈振荡两级频率(固定 33nF + 拨码经三极管接通第二颗 33nF)。 **背景**:线圈振荡两级频率(固定 33nF + 拨码接通第二颗 33nF)。
拨码开关通过**三极管(SS8050 类)**断开/接通该电容。 原电路:拨码开关 → **三极管电路** → 第二颗电容。
**问题**2026-09-03 实测):低频档(66nF 名义)实测等效谐振电容 **C_eff≈43nF** **问题**2026-09-03 实测):低频档(66nF 名义)实测等效谐振电容 **C_eff≈43nF**
2 台×5 组线圈反推 41.3~45.5),与名义 66nF 明显不符;两档有效 C 比仅 1.25(应 2.0) 2 台×5 组线圈反推 41.3~45.5),与名义 66nF 明显不符;两档有效 C 比仅 1.25(应 2.0)
→ 第二颗 33nF 只等效并入 ~8.6nF**疑似开关路未完全导通**。 → 第二颗 33nF 只等效并入 ~8.6nF**三极管开关路未能将电容全量并入**。
**修复**:三极管支路 **5.1K 电阻改 0Ω**(消除基极/开关压降,三极管饱和导通)。 **修复**(用户操作,准确描述):
- **R19 取下**(拆除)
- **R27 补焊 0Ω**(原空贴)
- 效果 = 拨码开关**不再经过三极管电路**,通过 0Ω 电阻**直接控制第二颗 33nF 电容**
> 注:早期过程记录(devlog V4.29 条目)写作"三极管 5.1K→0Ω",为本变更的过程理解表述;
> 以本处 R19/R27 描述为准。
**修复后实测**0Ω 板,低频档,3 颗线圈): **修复后实测**0Ω 板,低频档,3 颗线圈):