feat(V4B): 释放手感对齐 PD132T — 释放慢滤波(方案A, 固件 V4.03)

现场金属板测试: 灵敏度表已对齐, 但释放高度 V4B 比 PD132T 低
(刚离开触发位置即释放 vs 需离更远)。根因: IIR 滤波时间常数差异
(V4B 10ms+α79→τ32ms vs PD132T 43.7ms+α79/64→τ142~175ms),
释放阈值浅(进入20%)放大差异。

修复(USE_SLOW_RELEASE 开关, 默认 1):
- 新增独立慢滤波 loop1_CAPVD_slow(α=18/256 @10ms→τ≈142ms),
  吃原始 Value 不经斜率限幅, 复刻 PD132T 恢复速度
- 离开判定改用慢滤波值, 进入路径不变
- RELEASE_ALFA=18 可调(PD132T SET_FLT=ON 时用 15≈τ170ms)
- 同步: INIT_VD/稳定期/线圈重连
- 版本 V4.03(顺带修正 cmcng.h 字符串"4.00"与数字 4/2 不一致)

验证: gcc 单测 tests/test_release_slow_filter.c
τ fast=30ms/slow=140ms; 释放时机差 260ms ✓
文档: technical-spec §4.3.3 + devlog V2.12
待板级: 真机金属板测试 + MRS 编译

docs/devlog.md

@@ -4,6 +4,48 @@
 
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+## 2026-08-31 — 释放手感对齐 PD132T：释放慢滤波（方案 A，固件 V4.03）
+
+> **固件版本：V4.03**（cmcng.h：FIRMWARE_VER="4.03" + MAIN=4/SUB=3；⚠ 顺带修正字符串 "4.00" 与数字 4/2 不一致的历史问题）。devlog 修订 V2.12。
+
+### 背景（现场测试）
+
+PD132T 替换交付后金属板测试（从上往下接近触发、从下往上离开释放）：**触发高度两边一致，释放高度不一致**——V4B 刚离开触发位置一点点就释放，PD132T 要离得更远才释放。
+
+### 根因分析
+
+| 项 | V4B | PD132T |
+|----|-----|--------|
+| 检测节拍 | 10ms | 43.7ms |
+| IIR 系数 | ALFA_CAP1=79 | 79(SET_FLT=ON)/64(OFF) |
+| τ | ≈32ms | ≈142~175ms |
+| 释放确认 | 3×10ms | 单次 |
+
+- 判定公式与阈值表**完全一致**（`(Origin-dlt_ORG) < CAPVD`，表 {60,32,21,14} 已对齐）
+- 差异在 **CAPVD 恢复速度**：V4B 快 4.4~5.5× → 刚离开即恢复过浅阈值 → 早释放
+- 释放阈值浅（进入的 20%）放大差异；触发阈值深 + 接近过程信号斜率大 → 触发高度差不明显
+
+### 方案 A 实现（USE_SLOW_RELEASE）
+
+- 新增独立慢滤波 `loop1_CAPVD_slow`（α=18/256 @10ms → τ≈142ms，复刻 PD132T 恢复速度），吃原始 Value（不经斜率限幅）
+- 离开判定改用慢滤波值，进入路径不变
+- 开关 `USE_SLOW_RELEASE`（TaskLoop.h 默认 1，0=原快滤波释放，现场可对比回退）
+- 同步：INIT_VD 复位、稳定期直锁、线圈重连强制收敛
+- ⚠ 若现场 PD132T SET_FLT=ON（α64 → τ≈175ms），调 `RELEASE_ALFA` 15（τ≈170ms）更贴近
+
+### 验证
+
+- `tests/test_release_slow_filter.c`（gcc 单测）：τ fast=30ms/slow=140ms（理论 32/142ms）；模拟金属板离开（信号每 10ms +80），释放时机 fast=150ms/slow=410ms，**差 260ms** ✓
+- 括号结构三版本（原始/改动/回退）计数一致，无结构影响
+- ⚠ 待板级：真机金属板测试确认释放高度对齐；MRS 编译
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+### 文档同步
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+- technical-spec §4.3.3 模式 1 补 V4.03 慢滤波说明
+- release-notes 待发布时更新
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 ## 2026-08-28 — 灵敏度进入/离开对齐 PD132T（V2.11）
 
 ### 背景