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DLD154V4B/docs/hardware/hardware-change-notes.md
T
wangfq 71feb3e06d docs(V4B): 硬件变更描述勘误 — 准确改法 R19拆 + R27补焊0Ω(旁路三极管直控电容)
早期过程描述'三极管 5.1K→0Ω'更正为: R19 取下 + R27 补焊 0Ω(原空贴),
拨码开关不再经过三极管电路、经 0Ω 直控第二颗 33nF; 与 vd-analysis
models/DLD154V4B 归档的 Ver4.01 原理图一致
2026-09-03 14:58:49 +08:00

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# DLD154V4 硬件变更记录 (Hardware Change Notes)
> 关联仓库:DLD154V4B(固件/文档)。原理图归档见 `docs/hardware/`。
> 本文记录与固件标定/行为相关的**硬件变更**,作为固件参数(如 COIL_CAL_C_NF)的硬件依据。
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## 原理图归档
| 文件 | 版本 | 日期 | 说明 |
|------|------|------|------|
| DLD-154_Ver4.01_20251021_Logic.pdf | Ver4.01(图框残留 Ver3.01 字样,待核) | 2025-10-21 | 单路线圈车检器原理图(AT32F421F8P7-TSSOP2012M 晶振) |
> PDF 为 CAD 导出的文字层(GBK 乱码 + 平铺坐标碎片),仅能确认元件存在(AT32F421F8P7、
> 12M Y1、两颗 33nF(*1206)、SS8050×3、拨码 SW6-DIP12、继电器 RLY1/RLY2、LEDA/B/C、
> 0R R26/R18 等),**连线拓扑无法从文字层还原**,如需网表级对照请提供 CAD 源文件。
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## 变更记录
### 2026-09-03 — 拨码电容开关旁路三极管(原理图 Ver3.00→Ver4.01
**背景**:线圈振荡两级频率(固定 33nF + 拨码接通第二颗 33nF)。
原电路:拨码开关 → **三极管电路** → 第二颗电容。
**问题**2026-09-03 实测):低频档(66nF 名义)实测等效谐振电容 **C_eff≈43nF**
2 台×5 组线圈反推 41.3~45.5),与名义 66nF 明显不符;两档有效 C 比仅 1.25(应 2.0)
→ 第二颗 33nF 只等效并入 ~8.6nF,**三极管开关电路未能将电容全量并入**。
**修复**(用户操作,准确描述):
- **R19 取下**(拆除)
- **R27 补焊 0Ω**(原空贴)
- 效果 = 拨码开关**不再经过三极管电路**,通过 0Ω 电阻**直接控制第二颗 33nF 电容**
> 注:早期过程记录(devlog V4.29 条目)写作"三极管 5.1K→0Ω",为本变更的过程理解表述;
> 以本处 R19/R27 描述为准。
**修复后实测**0Ω 板,低频档,3 颗线圈):
| 打印 f | LCR 实际 L | C_eff 反推 |
|--------|-----------|-----------|
| 52 kHz | 136 µH | 68.9 nF |
| 127 kHz | 23 µH | 68.3 nF |
| 88 kHz | 48 µH | 68.1 nF |
**C_eff = 68.1~68.9nF(均值 68.4)≈ 名义 66nF** → 第二颗 33nF 已真正并联。
**固件关联**
- V4.28 `COIL_CAL_C_NF=43`(5.1K 旧板带病特性)**作废**
- V4.29 `COIL_CAL_C_NF=68`(0Ω 板量产默认),L 估算残差 ≤1.5%
- 高频档(33nF)标定参考 34(旧板数据),0Ω 板待复测
**遗留**
- 图框标题 REV 仍印 Ver3.01,需与文件名 Ver4.01 对齐
- 0Ω 板 33nF 档 C_eff 复测(预期仍 ~34,开关只控并联支路时)