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早期过程描述'三极管 5.1K→0Ω'更正为: R19 取下 + R27 补焊 0Ω(原空贴), 拨码开关不再经过三极管电路、经 0Ω 直控第二颗 33nF; 与 vd-analysis models/DLD154V4B 归档的 Ver4.01 原理图一致
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DLD154V4 硬件变更记录 (Hardware Change Notes)
关联仓库：DLD154V4B（固件/文档）。原理图归档见
docs/hardware/。 本文记录与固件标定/行为相关的硬件变更，作为固件参数（如 COIL_CAL_C_NF）的硬件依据。
原理图归档
| 文件 | 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DLD-154_Ver4.01_20251021_Logic.pdf | Ver4.01（图框残留 Ver3.01 字样，待核） | 2025-10-21 | 单路线圈车检器原理图（AT32F421F8P7-TSSOP20，12M 晶振） |
PDF 为 CAD 导出的文字层（GBK 乱码 + 平铺坐标碎片），仅能确认元件存在（AT32F421F8P7、 12M Y1、两颗 33nF(*1206)、SS8050×3、拨码 SW6-DIP12、继电器 RLY1/RLY2、LEDA/B/C、 0R R26/R18 等），连线拓扑无法从文字层还原，如需网表级对照请提供 CAD 源文件。
变更记录
2026-09-03 — 拨码电容开关旁路三极管（原理图 Ver3.00→Ver4.01）
背景：线圈振荡两级频率（固定 33nF + 拨码接通第二颗 33nF）。 原电路：拨码开关 → 三极管电路 → 第二颗电容。
问题（2026-09-03 实测）：低频档（66nF 名义）实测等效谐振电容 C_eff≈43nF （2 台×5 组线圈反推 41.3~45.5），与名义 66nF 明显不符；两档有效 C 比仅 1.25（应 2.0） → 第二颗 33nF 只等效并入 ~8.6nF，三极管开关电路未能将电容全量并入。
修复（用户操作，准确描述）：
- R19 取下（拆除）
- R27 补焊 0Ω（原空贴）
- 效果 = 拨码开关不再经过三极管电路，通过 0Ω 电阻直接控制第二颗 33nF 电容
注：早期过程记录（devlog V4.29 条目）写作"三极管 5.1K→0Ω"，为本变更的过程理解表述； 以本处 R19/R27 描述为准。
修复后实测（0Ω 板，低频档，3 颗线圈）：
| 打印 f | LCR 实际 L | C_eff 反推 |
|---|---|---|
| 52 kHz | 136 µH | 68.9 nF |
| 127 kHz | 23 µH | 68.3 nF |
| 88 kHz | 48 µH | 68.1 nF |
C_eff = 68.1~68.9nF（均值 68.4）≈ 名义 66nF → 第二颗 33nF 已真正并联。
固件关联：
- V4.28
COIL_CAL_C_NF=43（5.1K 旧板带病特性）作废 - V4.29
COIL_CAL_C_NF=68（0Ω 板量产默认），L 估算残差 ≤1.5% - 高频档（33nF）标定参考 34（旧板数据），0Ω 板待复测
遗留：
- 图框标题 REV 仍印 Ver3.01，需与文件名 Ver4.01 对齐
- 0Ω 板 33nF 档 C_eff 复测（预期仍 ~34，开关只控并联支路时）