wangfq
|
97a7fb2dba
|
fix(V4B): 方案A现场复核修正 V4.04 — RELEASE_ALFA 18→21(精确τ117ms对齐PD132T) + 进入snap消除HR0/2假释放
现场金属板复测两现象:
1. 慢速抬板释放高度 V4B 仍比 PD132T 高一点(跟手速有关) — 根因: τ对齐用了近似口径
(α18 精确τ≈137ms vs PD132T α79@43.7ms 精确τ≈118ms, α=79时 T×256/α 高估19.6%)
+ V4B 3次确认30ms。修正: RELEASE_ALFA 18→21 (精确τ≈117ms)。
2. 定在HR0/2(释放高度一半)保持~1s V4B释放、PD132T不释放 — 根因: 双滤波进入瞬态假释放
(快滤波30ms确认进入, 慢滤波还悬在基线附近, 残余信号0.032%~0.044%时释放条件瞬时为真)。
修正: 进入确认瞬间 snap loop1_CAPVD_slow = loop1_CAPVD (进入线恒深于离开线, 释放条件结构性为假)。
验证: gcc单测 τ fast=30ms/slow=120ms, 释放时机差 200ms ✓
仿真: 3s抬升高度差 +9mm→+3mm; 0.10%板HR0/2假释放消除 ✓
文档: devlog V2.13 + technical-spec §4.3.3
|
2026-09-01 09:46:55 +08:00 |
|
wangfq
|
9391e1b808
|
feat(V4B): 释放手感对齐 PD132T — 释放慢滤波(方案A, 固件 V4.03)
现场金属板测试: 灵敏度表已对齐, 但释放高度 V4B 比 PD132T 低
(刚离开触发位置即释放 vs 需离更远)。根因: IIR 滤波时间常数差异
(V4B 10ms+α79→τ32ms vs PD132T 43.7ms+α79/64→τ142~175ms),
释放阈值浅(进入20%)放大差异。
修复(USE_SLOW_RELEASE 开关, 默认 1):
- 新增独立慢滤波 loop1_CAPVD_slow(α=18/256 @10ms→τ≈142ms),
吃原始 Value 不经斜率限幅, 复刻 PD132T 恢复速度
- 离开判定改用慢滤波值, 进入路径不变
- RELEASE_ALFA=18 可调(PD132T SET_FLT=ON 时用 15≈τ170ms)
- 同步: INIT_VD/稳定期/线圈重连
- 版本 V4.03(顺带修正 cmcng.h 字符串"4.00"与数字 4/2 不一致)
验证: gcc 单测 tests/test_release_slow_filter.c
τ fast=30ms/slow=140ms; 释放时机差 260ms ✓
文档: technical-spec §4.3.3 + devlog V2.12
待板级: 真机金属板测试 + MRS 编译
|
2026-08-31 16:52:45 +08:00 |
|