wangfq
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87c8e01936
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test(vd960DBN): SPI写密度模拟实验 + factory写止血 — VDD跌落诊断
- peripheral_main: sim_snap_spi 模拟快照落盘节奏 (20ms 64B页写 + 每64条切扇区擦除+头写)
- cfig_flash: magic不匹配时跳过 factory SPI_Flash_Write, 用内存默认值继续
(SPI写触发硬件复位死循环止血: 参数区0x00写也崩, RST=0x00000000)
- 诊断修正: CH32V208GBU6 QFN28 无 NRST 引脚, 共线假设作废;
SPI写/擦除→电流尖峰→VDD跌落→内部POR/PDR(2.4V)复位;
BLE射频+SPI电流叠加是头号嫌疑
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2026-08-13 11:27:08 +08:00 |
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wangfq
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95808f9f25
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refactor(vd960Loop): 算法回退到 DLD154V4B,四通道适配
- 用 DLD154V4B vd1_task/per_channel 替换 vds_task 复杂算法
- 移除 FUNCTION_B/二次判断/快速变化/多重确认等增强特性
- 保留平坦性离开算法 (CN200910309382),每通道独立状态
- 灵敏度表改为 DLD154V4B 4级: {216,108,36,10} / {108,72,18,9}
- 清理废弃类型: FltHistoryManager, Loop_ACS_Info, StageRangeConfig 等
- 首次添加 vd960DBN 完整源码
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2026-06-25 16:21:57 +08:00 |
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